مطالعه عددی مشخصات گذرای ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی برنانو نوارهای گرافن

فصل اول

مقدمه

فصل دوم

۲-۱- معرفی نانو نوار گرافن

۲-۱-۱- روش های تولید گرافن :

۲-۱-۱-۱- لیتوگرافی پرتو E

۲-۱-۱-۲- روش‌ پوسته پوسته کردن میکرومکانیکی :

۲-۱-۱-۳- روش رشد همبافته :

۲-۱-۱-۴- روش رسوب نشانی بخار شیمیایی(CVD) :

۲-۱-۱-۵- روش تهیه گرافن از اکسید گرافیت :

۲-۱-۱-۶- گرافن مصنوعی :

۲-۱-۱-۷- سنتز گرافن از گرافیت با استفاده از روش های حرارتی:

۲-۱-۱-۸- سنتز نانوریبون‌های گرافنی درون نانولوله‌های کربنی :

۲-۲- ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن

۲-۲-۱- ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن سد شاتکی

۲-۲-۲- ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن ماسفتی

۲-۲-۳- ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن تونلی (TFET)

فصل سوم

۳-۳- مروری بر روش شبیه سازی NEGF

فصل چهارم

۴-۱- خازن گیت افزاره

۴-۲- فرکانس قطع بهره جریان واحد

۴-۳- زمان تاخیر در هر بار عمل کلید زنی

۴-۴- توان مصرفی(PDP)

۴-۵- شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو نوار گرافن

۴-۵-۱- مشخصات افزاره GNRFETماسفتی

۴-۵-۲- بررسی منحنی مشخصه های ترانزیستورGNRFET ماسفتی

۴-۵-۳- اثرات تغییر ساختار برمنحنی مشخصه های GNRFET ماسفتی

فصل پنجم

جمع بندی و پیشنهادات