فصل اول : معرفی جامدات و نیم رساناهای آمورف
۱-۱) مقدمه
۱-۲) کلیات و تعاریف در مورد جامدات آمورف (بی شکل)
۱-۳) تعریف بی نظمی و انواع آن
۱-۴) نیمرساناهای بی شکل (آمورف)
۱-۴-۱) مقدمه
۱-۴-۲) انواع نیمرساناهای بی شکل
۱-۴-۳) شیشه ها
۱-۵) نظریه الکترونی سیستم های بی نظم
۱-۵-۱) مقدمه
۱-۵-۲) ساختار نواری انرژی
۱-۵-۲-۱) حالت های جایگزیده و جایگزیدگی آندرسون
۱-۵-۲-۲) معرفی مدل های متداول ساختار نواری برای مواد بی شکل
۱-۵-۲-۲-۱) مدل کوهن- فریتشه- اوشینسکی
۱-۵-۲-۲-۲) مدل دیویس- مات
۱-۶) مدل رسانشی پلارون کوچک در نیمرساناهای آمورف
۱-۷) معرفی برخی روش های فیزیکی و شیمیایی تهیه مواد بی شکل
۱-۸) مروری بر برخی کاربردهای مواد آمورف در حوزه های مختلف علوم
۱-۸-۱) کاربردهای الکترونیکی
۱-۸-۲) کاربردهای الکتروشیمیایی
۱-۸-۳) کاربردهای نوری
فصل دوم : بررسی مصداقی مدل الکتروگرمایی در پدیده کلیدزنی
۲-۱ ) مقدمه
۲-۲) پدیده های میدان قوی
۲-۳) سرعت رانشی حامل ها در میدان های الکتریکی قوی
۲-۴) اثرات حجمی میدان قوی
۲-۵) رسانش در میدان قوی و اثر میدان قوی در رسانش پلارونی شیشه های حاوی یون های فلزات واسطه
۲-۶) رسانش غیراهمی
۲-۷) اثر پول فرنکل
۲-۷-۱) تزریق بار در اتصالات
۲-۷-۱-۱) اتصال خنثی
۲-۷-۱-۲) اتصال اهمی
۲-۷-۱-۳) اتصال غیر اهمی
۲-۷-۲ ) اثر شاتکی
۲-۸) تفاوت اثرات پول – فرنکل و ریچاردسون – شاتکی
۲-۹) معرفی پدیده کلیدزنی
۲-۱۰) مقاومت دیفرانسیلی منفی
۲-۱۱) شکست دیالکتریک و فرآیند تشکیل
۲-۱۲) رسانش- کلید زنی و پدیده های حافظه ای (شبه پایدار)
۲-۱۳) کلیدزنی حافظه ای و آستانه ای
۲-۱۴) مکانیسم کلیدزنی
۲-۱۴-۱) نظریه الکتروگرمایی
۲-۱۳-۲) نظریه ی گرمایی
۲-۱۴-۳) نظریه ی الکترونیکی
۲-۱۵) مکانیزم کلیدزنی در شیشه های چلکوجنی
۲-۱۶) مقایسه ی کلیدزنی در مواد بلوری و آمورف
۲-۱۶-۱) دلایل رخ دادن پدیده کلیدزنی در مواد آمورف
فصل سوم : روش آزمایشگاهی، آنالیز نمونه ها و برنامه نویسی کامپیوتری
۳-۱) مقدمه
۳-۲) فرآیند آزمایشگاهی
۳-۲-۱) مقدمه
۳-۲-۲) مشخصات پودرهای اولیه و روش تهیه نمونه های مورد نظر
۳-۳) مشخصه یابی نمونه ها
۳-۳-۱) تحلیل طرح پراش پرتو X
۳-۳-۲) اندازه گیری چگالی نمونه ها
۳-۳-۳) اندازه گیری های الکتریکی نمونه ها در میدان الکتریکی قوی
۳-۴) حل عددی و برنامه نویسی
فصل چهارم : بحث و نتیجه گیری
۴-۱) مقدمه
۴-۲) بررسی الگوی پراش نمونه با استفاده از پرتو X و تصاویر SEM
۴-۳) بررسی پدیده کلیدزنی در نمونه های توده ای
۴-۳-۱) بررسی منحنی های جریان- ولتاژ در فواصل الکترودی مختلف و همچنین بررسی منحنی های توان الکتریکی مؤثر بر حسب
۴-۳-۲) بررسی منحنی های جریان- ولتاژ در دماهای مختلف و فاصله الکترودی ثابت و همچنین بررسی منحنی های توان الکتریکی(IV) بر حسب
۴-۳-۳) حل عددی و حصول نمودار های I-V با استفاده از برنامه نویسی کامپیوتری
۴-۴ ) نتایج کلی
محصول های مرتبط
بررسی میدان مغناطیسی زمین در داخل مرزهای ایران و تأثیرات آن در ارتفاعات بالا
بخش یک: میدان مغناطیسی و کاربردها فصل اول مقدمه‌ای بر میدان مغناطیسی ۱-۱ مقدمه ۱-۱-۱ میدان مغناطیسی ۱-۱-۲ منشاء میدان…
بررسی اثر دما بر سطح مقطع پراکندگی ذرات نانو فلزی
فصل اول کلیات طرح ۱-۱ بیان مسئله و هدف‌های تحقیق ۱-۲- اهمیت موضوع تحقیق و انگیزش انتخاب آن ۱-۳ سؤالات…
بررسی دینامیک درهم تنیدگی کیوبیتها در محیط غیرمارکوفی
فصل اول (مقدمه) -پیشینه ی تحقیق -دور نمای پایان نامه فصل دوم (مقدمه ای بر مکانیک کوانتومی و مفاهیم اساسی…
مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی نانو صفحات چند لایه شش‌ضلعی بورن- نیترید: از نظریه تابعی چگالی تا اثرات بس- ذره‌ای
امروزه بطور گسترده‌ای نانو صفحات چند لایه شش ضلعی بورن- نیترید، بعلت خواص الکترونی و اپتیکی بسیار جذاب آنها، بطور…
مطالعه مدل‌های انرژی تاریک در کیهان شناسی برنز دیکی
در این پایان‌نامه ما ابتدا مروری بر کیهان‌شناسی و معادلات حاکم بر آن داشته و نظریه گرانش انیشتن و نظریه…
بررسی تجربی لومینسانس حاصل از باریکه یونی
روش‌های آنالیز با باریکه یونی، دارای مزیت‌های بارزی نسبت به سایر روش‌های آنالیز می‌باشند که به دلیل هزینه زیاد راه‌اندازی…
قوانین ثبت دیدگاه